商品型号： VBL165R18
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO263
商品毛重： 3.74g
商品编号： CY317762
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3394
10+
￥9.2836
30+
￥9.2278
100+
￥9.172
500+
￥9.1162
1000+
￥9.0581
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
VBL165R18由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBL165R18价格参考￥9.339400。VBsemi(台湾微碧)VBL165R18封装/规格：TO263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道
手机版：VBL165R18
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