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DMG9933USD-13

商品型号: DMG9933USD-13

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY368151

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 4.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.15W 类型:双P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 4.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.15W 类型:双P沟道

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DMG9933USD-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG9933USD-13价格参考¥8.082800。DIODES(美台)DMG9933USD-13封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 4.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.15W 类型:双P沟道

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