商品型号： HSSK6303
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOT-363
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY477963
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货4841(3000起订)
数 量: X ￥9.3686
总 价: ￥46.84
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
5+
￥9.3686
50+
￥9.3081
150+
￥9.2476
500+
￥9.1871
2500+
￥9.1266
5000+
￥9.0633
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 500mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | |
| 类型 | 双N沟道 |
HSSK6303由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSSK6303价格参考￥9.368600。HUASHUO(华朔)HSSK6303封装/规格：SOT-363,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道
手机版：HSSK6303
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监