商品型号: FHP75N100A
制造厂商: FeiHong(飞虹)
封装规格: TO-220
商品毛重: 0.00g
商品编号: CY925019
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):195W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥9.5741
10+
¥9.4787
30+
¥9.3833
100+
¥9.2879
500+
¥9.1925
1000+
¥9.0971
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) |
FHP75N100A由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHP75N100A价格参考¥9.574100。FeiHong(飞虹)FHP75N100A封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):195W(Tc) 类型:N沟道
手机版:FHP75N100A
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