商品型号： GC11N70K
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY422802
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 700V 11A 395mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | |
| 类型 | N沟道 |
GC11N70K由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,GC11N70K价格参考￥7.389800。GOFORD(谷峰)GC11N70K封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 700V 11A 395mΩ@10V
手机版：GC11N70K
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