商品型号： PMPB55ENEAX
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： SOT1220
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY639014
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.65W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
PMPB55ENEAX由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMPB55ENEAX价格参考￥6.096300。Nexperia(安世)PMPB55ENEAX封装/规格：SOT1220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.65W 类型：N沟道
手机版：PMPB55ENEAX
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