商品型号： VBFB2412
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO251
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY831375
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥3.233
10+
￥3.1951
30+
￥3.1572
100+
￥3.1193
500+
￥3.0814
1000+
￥3.0407
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
VBFB2412由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBFB2412价格参考￥3.233000。VBsemi(台湾微碧)VBFB2412封装/规格：TO251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：P沟道
手机版：VBFB2412
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