商品型号： PMPB10XNEZ
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： DFN2020MD-6
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY566036
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A | |
| 类型 | N沟道 |
PMPB10XNEZ由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMPB10XNEZ价格参考￥1.386400。Nexperia(安世)PMPB10XNEZ封装/规格：DFN2020MD-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：N沟道
手机版：PMPB10XNEZ
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