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IXTA08N100D2

商品型号： IXTA08N100D2

制造厂商： IXYS

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 4.70g

商品编号： CY929758

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4V @ 25uA 漏源导通电阻：21Ω @ 400mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,1000V,0.8A,21Ω@0V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	1000V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4V @ 25uA 漏源导通电阻：21Ω @ 400mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,1000V,0.8A,21Ω@0V

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IXTA08N100D2由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTA08N100D2价格参考￥2.063800。IXYSIXTA08N100D2封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4V @ 25uA 漏源导通电阻：21Ω @ 400mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,1000V,0.8A,21Ω@0V

手机版：IXTA08N100D2