商品型号： VBQF1306
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： DFN8(3X3)
商品毛重： 0.57g
商品编号： CY601845
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 6W | |
| 类型 | N沟道 |
VBQF1306由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQF1306价格参考￥8.231400。VBsemi(台湾微碧)VBQF1306封装/规格：DFN8(3X3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：N沟道
手机版：VBQF1306
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