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ZXM62P03E6TA

商品型号： ZXM62P03E6TA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-26

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY789968

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）	625mW
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW 类型：P沟道

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ZXM62P03E6TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXM62P03E6TA价格参考￥7.153200。DIODES(美台)ZXM62P03E6TA封装/规格：SOT-26,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW 类型：P沟道

手机版：ZXM62P03E6TA