商品型号： VBA3695
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 2.06g
商品编号： CY333540
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.09W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道 |
VBA3695由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA3695价格参考￥6.105800。VBsemi(台湾微碧)VBA3695封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.09W 类型：双N沟道
手机版：VBA3695
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