商品型号： PSMN1R3-30YL,115
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： SOT-1023
商品毛重： 0.14g
商品编号： CY771924
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：1.3mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：121W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
PSMN1R3-30YL,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN1R3-30YL,115价格参考￥8.347100。Nexperia(安世)PSMN1R3-30YL,115封装/规格：SOT-1023,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：1.3mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：121W(Tc) 类型：N沟道
手机版：PSMN1R3-30YL,115
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