商品型号： VBQF2120
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： DFN8(3X3)
商品毛重： 2.01g
商品编号： CY311663
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 25A | |
| 类型 | N沟道 |
VBQF2120由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQF2120价格参考￥1.456000。VBsemi(台湾微碧)VBQF2120封装/规格：DFN8(3X3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道
手机版：VBQF2120
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