商品型号： HSCC8204
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TDFN2x3
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY624694
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | 双N沟道 |
HSCC8204由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSCC8204价格参考￥5.575000。HUASHUO(华朔)HSCC8204封装/规格：TDFN2x3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道
手机版：HSCC8204
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