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PMXB360ENEAZ

商品型号： PMXB360ENEAZ

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT1215

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY920658

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.1A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 1.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
最大功率耗散（Ta=25°C）	400mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.1A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 1.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道

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PMXB360ENEAZ由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMXB360ENEAZ价格参考￥6.356400。Nexperia(安世)PMXB360ENEAZ封装/规格：SOT1215,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.1A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 1.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道

手机版：PMXB360ENEAZ