商品型号： HSBA6032
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： PRPAK5x6
商品毛重： 0.13g
商品编号： CY531546
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
HSBA6032由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBA6032价格参考￥9.352800。HUASHUO(华朔)HSBA6032封装/规格：PRPAK5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道
手机版：HSBA6032
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