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NTUD3170NZT5G

商品型号: NTUD3170NZT5G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SOT-963

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY863098

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:双N沟道 双N沟道,20V,220mA

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数   量: X ¥5.1996

总   价: ¥5.20

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 125mW
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:双N沟道 双N沟道,20V,220mA

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NTUD3170NZT5G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTUD3170NZT5G价格参考¥5.199600。ON(安森美)NTUD3170NZT5G封装/规格:SOT-963,连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW 类型:双N沟道 双N沟道,20V,220mA

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