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NTUD3170NZT5G

商品型号： NTUD3170NZT5G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-963

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY863098

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：双N沟道双N沟道,20V,220mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	125mW
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：双N沟道双N沟道,20V,220mA

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NTUD3170NZT5G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTUD3170NZT5G价格参考￥5.199600。ON(安森美)NTUD3170NZT5G封装/规格：SOT-963,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：双N沟道双N沟道,20V,220mA

手机版：NTUD3170NZT5G