商品型号: LSD60R180HT
制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)
封装规格: TO-220MF
商品毛重: 2.90g
商品编号: CY310702
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥5.0712
10+
¥5.0624
30+
¥5.0536
100+
¥5.0402
500+
¥5.0268
1000+
¥5.0134
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
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封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 |
LSD60R180HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSD60R180HT价格参考¥5.071200。LONTEN(龙腾半导体)LSD60R180HT封装/规格:TO-220MF,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
手机版:LSD60R180HT
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