商品型号： LSB55R140GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-247
商品毛重： 7.92g
商品编号： CY801052
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.4848
10+
￥5.4053
30+
￥5.3258
100+
￥5.2463
500+
￥5.1642
1000+
￥5.0821
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 550V | |
| 类型 | N沟道 |
LSB55R140GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSB55R140GT价格参考￥5.484800。LONTEN(龙腾半导体)LSB55R140GT封装/规格：TO-247,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSB55R140GT
20万现货SKU
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