BSD235CH6327XTSA1

商品型号： BSD235CH6327XTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SC-70-6(SOT-363)

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY202898

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：950mA,530mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 1.6uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 950mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,20V,950mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：950mA,530mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 1.6uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 950mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,20V,950mA

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BSD235CH6327XTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSD235CH6327XTSA1价格参考￥1.193200。Infineon(英飞凌)BSD235CH6327XTSA1封装/规格：SC-70-6(SOT-363),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：950mA,530mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 1.6uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 950mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,20V,950mA

手机版：BSD235CH6327XTSA1