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LSD60R125HT

商品型号： LSD60R125HT

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-220MF

商品毛重： 2.94g

商品编号： CY653332

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.2W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.2W(Tc) 类型：N沟道

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LSD60R125HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSD60R125HT价格参考￥5.215900。LONTEN(龙腾半导体)LSD60R125HT封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.2W(Tc) 类型：N沟道

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