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IPD036N04L G

商品型号： IPD036N04L G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY123637

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 45uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,90A,3.6mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 45uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,90A,3.6mΩ@10V

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IPD036N04L G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD036N04L G价格参考￥1.189800。Infineon(英飞凌)IPD036N04L G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 45uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,90A,3.6mΩ@10V

手机版：IPD036N04L G