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DMN53D0LW-7

商品型号: DMN53D0LW-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-323

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY487399

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:2Ω @ 270mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):320mW 类型:N沟道

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总   价: ¥5.10

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 50V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:2Ω @ 270mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):320mW 类型:N沟道

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DMN53D0LW-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN53D0LW-7价格参考¥5.096600。DIODES(美台)DMN53D0LW-7封装/规格:SOT-323,连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:2Ω @ 270mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):320mW 类型:N沟道

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