商品型号： LSH70R450GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.65g
商品编号： CY787922
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.108
10+
￥4.0909
30+
￥4.0738
100+
￥4.0567
500+
￥4.0378
1000+
￥4.0189
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LSH70R450GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSH70R450GT价格参考￥4.108000。LONTEN(龙腾半导体)LSH70R450GT封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：LSH70R450GT
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