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BSP135 H6327

商品型号： BSP135 H6327

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT223-4

商品毛重： 0.21g

商品编号： CY043231

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 94uA 漏源导通电阻：45Ω @ 120mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	120mA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 94uA 漏源导通电阻：45Ω @ 120mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道

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BSP135 H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSP135 H6327价格参考￥2.262000。Infineon(英飞凌)BSP135 H6327封装/规格：PG-SOT223-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 94uA 漏源导通电阻：45Ω @ 120mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道

手机版：BSP135 H6327