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DMN2005LP4K-7

商品型号： DMN2005LP4K-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： X2-DFN1006-3

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY045094

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 100uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道 N沟道,20V,300mA,1.5Ω@4V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	200mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	400mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 100uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道 N沟道,20V,300mA,1.5Ω@4V

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DMN2005LP4K-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN2005LP4K-7价格参考￥8.383000。DIODES(美台)DMN2005LP4K-7封装/规格：X2-DFN1006-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 100uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道 N沟道,20V,300mA,1.5Ω@4V

手机版：DMN2005LP4K-7