商品型号： HY050N08C2
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： PPAK5*6-8L
商品毛重： 0.36g
商品编号： CY721984
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69.4W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 类型 | N沟道 |
HY050N08C2由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY050N08C2价格参考￥2.183300。HUAYI(华羿微)HY050N08C2封装/规格：PPAK5*6-8L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69.4W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：HY050N08C2
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