商品型号： LSD65R380HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220MF
商品毛重： 2.84g
商品编号： CY643096
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.4014
10+
￥6.3359
30+
￥6.2704
100+
￥6.2049
500+
￥6.1366
1000+
￥6.0683
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A | |
| 类型 | N沟道 |
LSD65R380HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSD65R380HT价格参考￥6.401400。LONTEN(龙腾半导体)LSD65R380HT封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道
手机版：LSD65R380HT
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