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DMN55D0UTQ-7

商品型号： DMN55D0UTQ-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-523

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY600662

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 100mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	160mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	200mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 100mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道

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DMN55D0UTQ-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN55D0UTQ-7价格参考￥7.303800。DIODES(美台)DMN55D0UTQ-7封装/规格：SOT-523,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 100mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道

手机版：DMN55D0UTQ-7