商品型号： G18N20K
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.38g
商品编号： CY254625
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65.8W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
G18N20K由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G18N20K价格参考￥3.388400。GOFORD(谷峰)G18N20K封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65.8W(Tc) 类型：N沟道
手机版：G18N20K
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