商品型号： DN2530N8-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： SOT-89(SOT-89-3)
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY106209
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：12Ω @ 150mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：N沟道 MOSFETN-CH300V0.2ASOT89-3
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 300V | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.6W | |
| 类型 | N沟道 |
DN2530N8-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,DN2530N8-G价格参考￥1.090600。MICROCHIP(美国微芯)DN2530N8-G封装/规格：SOT-89(SOT-89-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：12Ω @ 150mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：N沟道 MOSFETN-CH300V0.2ASOT89-3
手机版：DN2530N8-G
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