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PMDT290UCE,115

商品型号: PMDT290UCE,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-666

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY533670

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA, 550mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V;850mΩ @ 400mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道

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总   价: ¥6.09

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
最大功率耗散(Ta=25°C) 500mW
类型 N沟道和P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA, 550mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V;850mΩ @ 400mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道

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PMDT290UCE,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMDT290UCE,115价格参考¥6.089600。Nexperia(安世)PMDT290UCE,115封装/规格:SOT-666,连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA, 550mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V;850mΩ @ 400mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道

手机版:PMDT290UCE,115