商品型号: PMDT290UCE,115
制造厂商: Nexperia(安世)
封装规格: SOT-666
商品毛重: 0.01g
商品编号: CY533670
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA, 550mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V;850mΩ @ 400mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 500mW | |
类型 | N沟道和P沟道 |
PMDT290UCE,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMDT290UCE,115价格参考¥6.089600。Nexperia(安世)PMDT290UCE,115封装/规格:SOT-666,连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA, 550mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V;850mΩ @ 400mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道
手机版:PMDT290UCE,115
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