商品型号： 2SK4017(Q)
制造厂商： TOSHIBA(东芝)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.32g
商品编号： CY133063
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.392
10+
￥5.2945
30+
￥5.197
100+
￥5.0995
500+
￥5.002
1000+
￥5.001
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A | |
| 类型 | N沟道 |
2SK4017(Q)由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,2SK4017(Q)价格参考￥5.392000。TOSHIBA(东芝)2SK4017(Q)封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：N沟道
手机版：2SK4017(Q)
20万现货SKU
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