商品型号： HSBE2738
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： PRPAK3*3NEP
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY025792
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：双N沟道（共漏）
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
HSBE2738由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBE2738价格参考￥7.271000。HUASHUO(华朔)HSBE2738封装/规格：PRPAK3*3NEP,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：双N沟道（共漏）
手机版：HSBE2738
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