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G5N50K

商品型号: G5N50K

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.38g

商品编号: CY781525

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道

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总   价: ¥8.40

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 500V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道

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G5N50K由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G5N50K价格参考¥8.399000。GOFORD(谷峰)G5N50K封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道

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