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IRF520NSTRLPBF

商品型号: IRF520NSTRLPBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: D2PAK

商品毛重: 1.65g

商品编号: CY611409

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥9.05

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道

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IRF520NSTRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF520NSTRLPBF价格参考¥9.049300。Infineon(英飞凌)IRF520NSTRLPBF封装/规格:D2PAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道

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