商品型号： G30N03A
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： DFN3X3-8L
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY159367
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 N管，30V,30A,开启1.5V, 6.3mΩ@10V, 9.2mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
G30N03A由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G30N03A价格参考￥2.263700。GOFORD(谷峰)G30N03A封装/规格：DFN3X3-8L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 N管，30V,30A,开启1.5V, 6.3mΩ@10V, 9.2mΩ@4.5V
手机版：G30N03A
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