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DMG6968UTS-13

商品型号： DMG6968UTS-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TSSOP-8

商品毛重： 0.07g

商品编号： CY506579

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道(共漏)

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	双N沟道(共漏)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道(共漏)

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DMG6968UTS-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG6968UTS-13价格参考￥8.136800。DIODES(美台)DMG6968UTS-13封装/规格：TSSOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道(共漏)

手机版：DMG6968UTS-13