商品型号: ZXMP6A17GQTA
制造厂商: DIODES(美台)
封装规格: SOT-223
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商品编号: CY673926
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:125mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
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品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
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¥25.00
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¥25.00
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封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3A | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | |
类型 | P沟道 |
ZXMP6A17GQTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMP6A17GQTA价格参考¥9.140800。DIODES(美台)ZXMP6A17GQTA封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:125mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
手机版:ZXMP6A17GQTA
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