商品型号： HSH150N04
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-200
商品毛重： 2.30g
商品编号： CY574155
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150A | |
| 类型 | N沟道 |
HSH150N04由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSH150N04价格参考￥5.176100。HUASHUO(华朔)HSH150N04封装/规格：TO-200,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
手机版：HSH150N04
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