商品型号： HSH190N03
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.80g
商品编号： CY010511
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
HSH190N03由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSH190N03价格参考￥7.279200。HUASHUO(华朔)HSH190N03封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
手机版：HSH190N03
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