商品型号: MTC3586BDFA6
制造厂商: 3PEAK
封装规格: DFN-6L_2x2mm
商品毛重: 0.05g
商品编号: CY311227
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A,3.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3.5A,4.5V;105mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道和P沟道 20V,-20V/5A,-3.3A/N+P
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品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道和P沟道 |
MTC3586BDFA6由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTC3586BDFA6价格参考¥4.471600。3PEAKMTC3586BDFA6封装/规格:DFN-6L_2x2mm,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A,3.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3.5A,4.5V;105mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道和P沟道 20V,-20V/5A,-3.3A/N+P
手机版:MTC3586BDFA6
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