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HSBA3060

商品型号: HSBA3060

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: PRPAK5*6

商品毛重: 0.15g

商品编号: CY729422

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道

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总   价: ¥1.57

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道

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HSBA3060由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBA3060价格参考¥1.572100。HUASHUO(华朔)HSBA3060封装/规格:PRPAK5*6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道

手机版:HSBA3060