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HSH200N02

商品型号： HSH200N02

制造厂商： HUASHUO(华朔)

封装规格： TO-263

商品毛重： 1.66g

商品编号： CY096978

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.0V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.0V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道

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HSH200N02由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSH200N02价格参考￥7.013500。HUASHUO(华朔)HSH200N02封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.0V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道

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