商品型号： G110N06K
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.39g
商品编号： CY566505
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
G110N06K由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G110N06K价格参考￥1.504200。GOFORD(谷峰)G110N06K封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
手机版：G110N06K
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