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SI7119DN-T1-E3

商品型号： SI7119DN-T1-E3

制造厂商： VISHAY(威世)

封装规格： PowerPAK 1212-8

商品毛重： 0.18g

商品编号： CY509377

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商品描述： SI7119DN-T1-E3 21 PowerPAK 1212-8

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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.05Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：P沟道

SI7119DN-T1-E3由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,SI7119DN-T1-E3价格参考￥10.000000。VISHAY(威世)SI7119DN-T1-E3封装/规格：PowerPAK 1212-8,SI7119DN-T1-E3 21 PowerPAK 1212-8