商品型号： LNH2N65
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY319298
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
数量
价格
5+
￥9.2828
50+
￥9.2361
150+
￥9.1894
500+
￥9.1427
2500+
￥9.096
5000+
￥9.0493
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封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | |
| 类型 | N沟道 |
LNH2N65由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNH2N65价格参考￥9.282800。LONTEN(龙腾半导体)LNH2N65封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
手机版：LNH2N65
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