商品型号： RU75110S
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.15g
商品编号： CY145869
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=110A. 导通电阻=5.5mR
数量
价格
1+
￥5.326
10+
￥5.274
30+
￥5.2192
100+
￥5.1644
500+
￥5.1096
1000+
￥5.0548
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￥38.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | |
| 类型 | N沟道 |
RU75110S由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU75110S价格参考￥5.326000。Ruichips(锐骏半导体)RU75110S封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=110A. 导通电阻=5.5mR
手机版：RU75110S
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