商品型号： HY029N10B
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 2.23g
商品编号： CY716014
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：270A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：394.7W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.2265
10+
￥1.1892
30+
￥1.1519
100+
￥1.1146
500+
￥1.0773
1000+
￥1.04
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￥38.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
HY029N10B由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY029N10B价格参考￥1.226500。HUAYI(华羿微)HY029N10B封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：270A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：394.7W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY029N10B
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